2022 tsmc oip 文章 最新資訊
TSMC：AI芯片革命中被低估的支柱
- 全球人工智能革命正在推動對先進(jìn)半導(dǎo)體的空前需求，沒有哪家公司比臺積電更有能力利用這一趨勢。作為全球最大的專營代工廠，臺積電在用于 AI 系統(tǒng)、云基礎(chǔ)設(shè)施和自動駕駛技術(shù)的尖端芯片生產(chǎn)方面占據(jù)主導(dǎo)地位。與 NVIDIA 或 AMD 等直接在軟件和硬件生態(tài)系統(tǒng)中競爭的芯片設(shè)計(jì)商不同，臺積電作為硅片的中立制造商，使其與競爭動態(tài)隔絕，使其成為 AI 領(lǐng)域所有主要參與者的關(guān)鍵供應(yīng)商。這一戰(zhàn)略優(yōu)勢，加上其行業(yè)領(lǐng)先的制造能力和有吸引力的估值，使臺積電成為一項(xiàng)引人注目的長期投資。代工
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TSMC的全球擴(kuò)張戰(zhàn)略：增長推動因素還是利潤風(fēng)險(xiǎn)？
- 臺灣積體電路制造有限公司TSM（也稱為 TSMC）正在積極擴(kuò)大其全球制造足跡。2025 年 3 月，它宣布在美國進(jìn)行 1000 億美元的新投資，將其在美國的計(jì)劃總支出提高到 1650 億美元。這包括五個(gè)晶圓廠，兩個(gè)先進(jìn)的封裝工廠和一個(gè)主要的研發(fā)中心。這是芯片歷史上最雄心勃勃的擴(kuò)張之一。美國第一家晶圓廠的建設(shè)已經(jīng)完成，并且正在加快批量生產(chǎn)，以滿足飆升的 AI 需求。今年晚些時(shí)候還有兩家晶圓廠正在籌備中，正在等待許可，其余設(shè)施將根據(jù)客戶需求采用先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。除了在美國擴(kuò)張外，臺積電還在日本和德國擴(kuò)大了其晶圓廠。它
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先進(jìn)封裝：TSMC在FOPLP和CoPoS方面的戰(zhàn)略推動
- 先進(jìn)封裝被廣泛認(rèn)為是擴(kuò)展和超越摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù)途徑。面對芯片擴(kuò)展的物理限制和工藝節(jié)點(diǎn)小型化步伐的放緩，先進(jìn)封裝通過系統(tǒng)級封裝 （SiP）、異構(gòu)集成和高密度互連實(shí)現(xiàn)計(jì)算性能和能效的持續(xù)改進(jìn)。臺積電的技術(shù)論壇即將舉行，據(jù)外媒報(bào)道，預(yù)計(jì)臺積電將在活動中討論 CoPoS 的技術(shù)概念。這將與 2025 Touch Taiwan 技術(shù)論壇同時(shí)進(jìn)行，產(chǎn)生協(xié)同效應(yīng)。SemiVision Research 將對 CoPoS 技術(shù)進(jìn)行深入討論，并分析臺灣和全球供應(yīng)鏈格局。由于這種封裝技術(shù)與基于面板的工藝密切相關(guān)，臺灣面板制
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TSMC展示用于AI的kW集成穩(wěn)壓器
- TSMC 展示了用于 AI 的集成穩(wěn)壓器 （IVR），其垂直功率密度是分立設(shè)計(jì)的五倍。最新的 AI 數(shù)據(jù)中心芯片需要 1000A 的電流，下一代芯片需要 2000A 或千瓦的功率。提供此類電流的一種關(guān)鍵方法是使用垂直功率傳輸，并將功率饋送到 AI 芯片的背面。TSMC 開發(fā)的 IVR 使用基于 16nm 工藝技術(shù)的電源管理 IC （PMIC），該 ICS 集成了 2.5nH 或 5nH 的“超薄”電感器與硅通孔 （TSV）。該 PMIC 將具有陶瓷層來構(gòu)建電感器，PMIC 將位于襯底上，與使用 TSMC
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“最后也是最好的FINFET節(jié)點(diǎn)”
- 在該公司的北美技術(shù)研討會上，臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展和海外運(yùn)營辦公室高級副總裁兼聯(lián)合首席運(yùn)營官 Kevin Zhang 稱其為“最后也是最好的 finfet 節(jié)點(diǎn)”。臺積電的策略是開發(fā) N3 工藝的多種變體，創(chuàng)建一個(gè)全面的、可定制的硅資源。“我們的目標(biāo)是讓集成芯片性能成為一個(gè)平臺，”Zhang 說。 截至目前，可用或計(jì)劃中 N3 變體是：N3B：基準(zhǔn) 3nm 工藝。N3E：成本優(yōu)化的版本，具有更少的 EUV 層數(shù)，并且沒有 EUV 雙重圖形。它的邏輯密度低于 N3，但具有更好的良率。N3P：N3E 的增強(qiáng)版本，在相
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Avicena與TSMC優(yōu)化I/O互連的光電探測器陣列
- Avicena 將與臺積電合作，為 Avicena 革命性的基于 LightBundle microLED 的互連優(yōu)化光電探測器 （PD） 陣列。LightBundle 互連支持超過 1 Tbps/mm 的海岸線密度，并以一流的 sub-pJ/bit 能效將超高密度晶粒到晶粒 （D2D） 連接擴(kuò)展到 10 米以上。這將使 AI 縱向擴(kuò)展網(wǎng)絡(luò)能夠支持跨多個(gè)機(jī)架的大型 GPU 集群，消除當(dāng)前銅互連的覆蓋范圍限制，同時(shí)大幅降低功耗。日益復(fù)雜的 AI 模型推動了對計(jì)算和內(nèi)存性能的需求空前激增，需要具有更高密度、更
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TSMC 選擇更小的襯底進(jìn)行初始 PLP 運(yùn)行
- 一位消息人士告訴《日經(jīng)新聞》（Nikkei），決定生產(chǎn)“應(yīng)該從稍小的方形開始，而不是在早期試驗(yàn)中從更雄心勃勃的大方形開始。用化學(xué)品均勻地涂覆整個(gè)基材尤其具有挑戰(zhàn)性。首次生產(chǎn)將于 2017 年在桃園市試行。據(jù)報(bào)道，日月光科技最初表示正在建造一條使用 600 x 600 毫米基板的 PLP 生產(chǎn)線，但在聽說臺積電的決定后，決定在高雄建造另一條使用 310x310 毫米基板的試點(diǎn)生產(chǎn)線。PLP 技術(shù)由 Fraunhofer 于 2016 年推出，當(dāng)時(shí)它與 17 個(gè)合作伙伴成立了面板級封裝聯(lián)盟 （PLC）。
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臺積電打算將FOPLP封裝技術(shù)帶入美國，以滿足當(dāng)?shù)乜蛻舻男枨?/a>
- 上個(gè)月臺積電（TSMC）宣布，有意增加1000億美元投資于美國先進(jìn)半導(dǎo)體制造，擴(kuò)大投資計(jì)劃包括了三座新建晶圓廠、兩座先進(jìn)封裝設(shè)施、以及一間主要的研發(fā)團(tuán)隊(duì)中心。臺積電在美國亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠名為Fab 21，前后花了大概五年時(shí)間才完成第一間晶圓廠。不過隨著項(xiàng)目的推進(jìn)，臺積電在當(dāng)?shù)氐脑O(shè)施建造速度變得更快。據(jù)TrendForce報(bào)道，臺積電打算將FOPLP封裝技術(shù)帶入美國，以滿足當(dāng)?shù)乜蛻羧找嬖鲩L的需求。臺積電正在確定FOPLP封裝的最終規(guī)格，以加快大規(guī)模生產(chǎn)的時(shí)間表。初代產(chǎn)品預(yù)計(jì)采用300mm x
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小米新款SoC或采用臺積電N4P工藝，圖形性能優(yōu)于第二代驍龍8
- 去年末有報(bào)道稱，小米即將迎來了自己的SoC，已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作，剩下唯一的步驟就是與代工合作伙伴確定訂單，批量生產(chǎn)自己設(shè)計(jì)的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1，搭載于小米5c，對SoC并不陌生。據(jù)Wccftech報(bào)道，雖然中國大陸的芯片設(shè)計(jì)公司或許不能采用臺積電（TSMC）最新的制造工藝，但最新消息指出，相關(guān)的管制措施暫時(shí)沒有影響到小米，該款SoC有望在今年晚些時(shí)候推出。不過與之前的消息有些不同，小米的自研芯片采用的并非3nm工藝，而是4nm工藝，具體來說是N4P。小米的SoC在C
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臺積電將于4月1日起開始接受2nm訂單，首批芯片預(yù)計(jì)2026年到來
- 臺積電（TSMC）在去年12月已經(jīng)對2nm工藝進(jìn)行了試產(chǎn)，良品率超過了60%，大大超過了預(yù)期。目前臺積電有兩家位于中國臺灣的晶圓廠專注在2nm工藝，分別是北部的寶山工廠，還有南部的高雄工廠，已經(jīng)進(jìn)入小規(guī)模評估階段，初期產(chǎn)能同樣是月產(chǎn)量5000片晶圓。據(jù)Wccftech報(bào)道，最新消息稱，臺積電將從2025年4月1日起開始接受2nm訂單，蘋果大概率會是首個(gè)客戶。傳聞蘋果計(jì)劃采用2nm工藝制造A20，用于2026年下半年發(fā)布的iPhone 18系列智能手機(jī)上。除了蘋果以為，AMD、英特爾、博通和AWS等都準(zhǔn)備排
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轉(zhuǎn)向納米晶體管是SRAM的福音
- 上周在 IEEE 國際固態(tài)電路會議 （ISSCC） 上，先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域最大的兩個(gè)競爭對手 Intel 和 TSMC 詳細(xì)介紹了使用其最新技術(shù) Intel 18a 和 TSMC N2 構(gòu)建的關(guān)鍵內(nèi)存電路 SRAM 的功能.多年來，芯片制造商不斷縮小電路規(guī)模的能力有所放緩，但縮小 SRAM 尤其困難，因?yàn)?nbsp;SRAM 由大型存儲單元陣列和支持電路組成。兩家公司最密集封裝的 SRAM 模塊使用 0.02
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蘋果A系列芯片將集成自研5G基帶：替代高通
- 2月25日消息，蘋果記者M(jìn)ark Gurman透露，蘋果計(jì)劃在未來將5G調(diào)制解調(diào)器集成到設(shè)備的主芯片組中，這意味著未來不會再有A18芯片組與獨(dú)立的C1調(diào)制解調(diào)器，而是兩者合二為一，不過這一成果需要幾年時(shí)間才能實(shí)現(xiàn)。據(jù)悉，蘋果自研5G基帶芯片由iPhone 16e首發(fā)搭載，該機(jī)同時(shí)還搭載了A18芯片，支持Apple智能。報(bào)道顯示，蘋果自研的5G基帶芯片C1由臺積電（TSMC）代工，其基帶調(diào)制解調(diào)器采用4nm工藝，而接收器則采用了7nm工藝，這種組合是兼顧性能與功耗的解決方案。按照計(jì)劃，蘋果明年將會擴(kuò)大自研基
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TSMC 揭開納米片晶體管的帷幕 英特爾展示了這些設(shè)備可以走多遠(yuǎn)
- 臺積電本周在舊金山舉行的 IEEE 國際電子設(shè)備會議 （IEDM） 上介紹了其下一代晶體管技術(shù)。N2 或 2 納米技術(shù)是這家半導(dǎo)體代工巨頭首次涉足一種新的晶體管架構(gòu)，稱為納米片(Nanosheet)或全環(huán)繞柵極。三星有制造類似設(shè)備的工藝，英特爾和臺積電都預(yù)計(jì)在 2025 年生產(chǎn)它們。與臺積電目前最先進(jìn)的工藝 N3（3 納米）相比，這項(xiàng)新技術(shù)可將能效提高 15% 或提高 30%，同時(shí)將密度提高 15%。N2是“四年多的勞動成果”，臺積電研發(fā)和先進(jìn)技術(shù)副總裁Geoffrey Ye
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臺積電暫不能在海外生產(chǎn)2nm芯片，以確保先進(jìn)半導(dǎo)體工藝技術(shù)留在當(dāng)?shù)?/a>
- 前一段時(shí)間，臺積電（TSMC）董事長兼首席執(zhí)行官魏哲家表示，客戶對于2nm的詢問多于3nm，看起來更受客戶的歡迎，未來五年內(nèi)臺積電有望實(shí)現(xiàn)連續(xù)、健康的增長。目前看來，2nm不但能復(fù)制3nm的成功，甚至有超越的勢頭，為此臺積電加快了2nm產(chǎn)線的建設(shè)，并進(jìn)一步擴(kuò)大了產(chǎn)能規(guī)劃。由于臺積電在海外還有新修晶圓廠的計(jì)劃，據(jù)相關(guān)媒體報(bào)道，中國臺灣當(dāng)?shù)氐闹鞴懿块T表示，雖然臺積電在美國、歐洲和日本都在建造先進(jìn)工藝的晶圓廠，但是最先進(jìn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)不能轉(zhuǎn)移到海外的生產(chǎn)設(shè)施，這受到當(dāng)?shù)胤傻谋Ｗo(hù)，核心技術(shù)不能外移，現(xiàn)階段無法
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臺積電OIP推3D IC設(shè)計(jì)新標(biāo)準(zhǔn)
- 臺積電OIP（開放創(chuàng)新平臺）于美西當(dāng)?shù)貢r(shí)間25日展開，除表揚(yáng)包括力旺、M31在內(nèi)之業(yè)者外，更計(jì)劃推出3Dblox新標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新，并提高EDA工具的通用性。 臺積電設(shè)計(jì)構(gòu)建管理處負(fù)責(zé)人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構(gòu)中的物理挑戰(zhàn)，幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的設(shè)計(jì)。臺積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑，與設(shè)計(jì)合作伙伴及客戶共同探討如何通過更深層次的合作，推動AI芯片設(shè)計(jì)的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
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